VCM=1000V,瞬时共模抑制:10KV/μsec
低输入电流要求 : 0.5mA 高输出电流 : 60mA
宽工作温度范围 -40~85ºC
高输入输出隔离电压 ( Viso = 5000Vrms )
安全认证:UL,VDE,CQC,CE
符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。
高效率的AlGaAs LED和高速光学探测器组成
拥有交流和直流隔离
改善了传统光电晶体管耦合器的速度
共模瞬态抗扰度
高隔离电压
VCM=1000V,瞬时共模抑制:10KV/μsec
低输入电流要求 : 0.5mA 高输出电流 : 60mA
宽工作温度范围 -40~85ºC
高输入输出隔离电压 ( Viso = 5000Vrms )
安全认证:UL,VDE,CQC,CE
符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。
6N138/6N139器件均由一个红外发射二极管组成,该二极管以光学方式耦合到一个高增益分体达林顿光电探测器。
对标表
Avago | Onsemi/ | Toshiba | Renesa | Vishay | Liteon | EL | Sharp |
6N139 | 6N139M | TLP553 | 6N139 | 6N139 | 6N139 |